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MASTERGAN4TR
集成两个增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的高功率密度60V半桥驱动器
- 描述
- 具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- MASTERGAN4TR
- 商品编号
- C5252510
- 商品封装
- QFN-31(9x9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 6.805克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 4.75V~9.5V | |
| 上升时间(tr) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过热保护(OTP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2V~2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.1V~1.45V | |
| 静态电流(Iq) | 680uA |