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MASTERGAN4TR
集成两个增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的高功率密度60V半桥驱动器
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- 描述
- 具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- MASTERGAN4TR
- 商品编号
- C5252510
- 商品封装
- QFN-31(9x9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 6.805克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 4.75V~9.5V | |
| 上升时间(tr) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2V~2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.1V~1.45V | |
| 静态电流(Iq) | 680uA | |
| 功能特性 | 使能关断；内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
MASTERGAN4是一款先进的功率系统级封装，集成了栅极驱动器和两个增强型GaN功率晶体管，采用半桥配置。集成的功率GaN具有650V漏源阻断电压和225mΩ的RDS(ON)，嵌入式栅极驱动器的高侧可通过集成的自举二极管轻松供电。MASTERGAN4在上下驱动部分均具备UVLO保护，防止功率开关在低效率或危险条件下工作，互锁功能可避免交叉导通情况。输入引脚的扩展范围允许与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松接口。MASTERGAN4工作在-40℃至125℃的工业温度范围，采用紧凑的9x9mm QFN封装。
商品特性
- 600V系统级封装，集成半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管
- QFN 9x9x1mm封装
- RDS(ON)=225mΩ
- IDS(MAX)=6.5A
- 反向电流能力
- 零反向恢复损耗
- 低侧和高侧的UVLO保护
- 内部自举二极管
- 互锁功能
- 专用关断功能引脚
- 精确的内部时序匹配
- 3.3V至15V兼容输入（带迟滞和下拉）
- 过温保护
- 物料清单减少
- 非常紧凑和简化的布局
- 灵活、简单且快速的设计
应用领域
- 开关模式电源
- 充电器和适配器
- 高压PFC、DC-DC和DC-AC转换器