HYG040N04LS1C1
1个N沟道 耐压:40V 电流:75A
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- 描述
- 特性:40V/75A,R₍D(ON)₎ = 4.1mΩ(典型值)@V₍GS₎ = 10V,R₍D(ON)₎ = 6.7mΩ(典型值)@V₍GS₎ = 4.6V。 100% 雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤和环保器件(符合 RoHS 标准)。应用:用于 DC/DC 开关应用的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG040N04LS1C1
- 商品编号
- C5250956
- 商品封装
- PDFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 55.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 漏源电压(V) = 100 V
- 漏极电流 = 15 A(栅源电压 = 10 V)
- 导通电阻 = 0.114 Ω(栅源电压 = 10 V)
应用领域
- 初级侧开关
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