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HYG040N04LS1C1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HYG040N04LS1C1

1个N沟道 耐压:40V 电流:75A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:40V/75A,R₍D(ON)₎ = 4.1mΩ(典型值)@V₍GS₎ = 10V,R₍D(ON)₎ = 6.7mΩ(典型值)@V₍GS₎ = 4.6V。 100% 雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤和环保器件(符合 RoHS 标准)。应用:用于 DC/DC 开关应用的电源管理
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HYG040N04LS1C1
商品编号
C5250956
商品封装
PDFN-8L(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.06克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)75A
导通电阻(RDS(on))6.7mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)55.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.1V
栅极电荷量(Qg)17.5nC@10V
输入电容(Ciss)1.18nF
反向传输电容(Crss)19pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 漏源电压(V) = 100 V
  • 漏极电流 = 15 A(栅源电压 = 10 V)
  • 导通电阻 = 0.114 Ω(栅源电压 = 10 V)

应用领域

  • 初级侧开关

数据手册PDF