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TPFQD11P06TM实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPFQD11P06TM

耐压:60V 电流:13A

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描述
符合VTH:3.0标准 FQD11P06TM
商品型号
TPFQD11P06TM
商品编号
C5246434
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.85克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))110mΩ@4.5V,8A
耗散功率(Pd)60W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)37.6nC
输入电容(Ciss)1.6307nF@30V
反向传输电容(Crss)77.3pF@30V
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这款新一代MOSFET旨在将漏源导通电阻降至最低,同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。

商品特性

  • 额定温度高达+175℃,适用于高温环境。
  • 在生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用。
  • 高转换效率。
  • 低漏源导通电阻,将导通状态损耗降至最低。
  • 无铅镀层,符合RoHS标准。
  • 无卤素和锑,“绿色”器件。

应用领域

-电源管理-负载开关-DC-DC转换器

数据手册PDF