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FZT589TA
中功率晶体管 PNP 电流:1A 电压:30V
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- 描述
- 特性：BVCEO > -30V。 集电极电流 IC = -1A，连续电流高。 高达 -2A 时具有出色的 hFE 特性。 低饱和电压 VCE(sat) < -0.35V @ -1A。 互补 NPN 类型。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该器件符合 JEDEC 高可靠性标准
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- FZT589TA
- 商品编号
- C5245602
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.160667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 直流电流增益(hFE) | 80@1A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 350mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |