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SI2310AHE3-TP
N沟道场效应晶体管
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- 描述
- 特性：AEC-Q101认证。 无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 湿度敏感度等级1。 无卤“绿色”器件
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- SI2310AHE3-TP
- 商品编号
- C5243799
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 409pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ATM2320KNSQ是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造，可提供出色的RDS(ON)。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件特别适用于低压应用，且在超小外形表面贴装封装中需要低在线功率损耗的场景。
商品特性
- RDS(ON) = 14 mΩ（典型值），VGS = 4.5 V
- RDS(ON) = 18 mΩ（典型值），VGS = 2.5 V
- 专为极低RDS(ON)设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOP89 - 3封装设计
- ESD等级：2000V HBM
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统