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VO617A
光耦合器，光电晶体管输出，5300VRMS
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- 描述
- 110℃额定的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个GaAs红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料DIP-4封装中。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- VO617A
- 商品编号
- C5241902
- 商品封装
- DIP-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.464克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.35V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 5.3kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 80V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出通道数 | 1 | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@5mA,1mA | |
| 上升时间(tr) | 2us | |
| 下降时间 | 15us | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 50% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 600% | |
| 正向电流(If) | 60mA |
商品概述
110℃额定的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个GaAs红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料DIP - 4封装中。 这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。 耦合器端部可堆叠，间距为2.54mm。 选择选项6可实现>8.0mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950 (DIN VDE 0806)标准，适用于高达400 VRMS或DC的工作电压下的加强绝缘。规格可能会有所变化。