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SI2312
SI2312
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- 描述
- TDD（台冠 / 台源电子) MOS 配置 独立式；沟道类型 N 沟道；漏源击穿电压（Vds) 20V；连续漏极电流（Id) 5A；栅极开启电压 (Vgs (th)) 0.85V；导通内阻 (Rds (on)) 33mΩ@Vgs=4.5V；耗散功率 (Pd) 1.25W；工作结温范围 - 55℃~+150℃
- 品牌名称
- TDD(台冠电子)
- 商品型号
- SI2312
- 商品编号
- C55488607
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 22.5V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 295pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |