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SI2312
SI2312
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- 描述
- TDD（台冠 / 台源电子) MOS 配置 独立式；沟道类型 N 沟道；漏源击穿电压（Vds) 20V；连续漏极电流（Id) 5A；栅极开启电压 (Vgs (th)) 0.85V；导通内阻 (Rds (on)) 33mΩ@Vgs=4.5V；耗散功率 (Pd) 1.25W；工作结温范围 - 55℃~+150℃
- 品牌名称
- TDD(台冠电子)
- 商品型号
- SI2312
- 商品编号
- C55488607
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031867克(g)
商品参数
参数完善中