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SI2369DS-TDD
SI2369DS-TDD
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- 描述
- TDD（台冠 / 台源电子) MOS 配置 独立式；沟道类型 P 沟道；漏源击穿电压（Vds) 30V；连续漏极电流（Id) 5.4A；栅极开启电压 (Vgs (th)) -2.5V；导通内阻 (Rds (on)) 29mΩ@Vgs=10V；耗散功率 (Pd) 2.5W；工作结温范围 - 55℃~+150℃
- 品牌名称
- TDD(台冠电子)
- 商品型号
- SI2369DS-TDD
- 商品编号
- C55488609
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0356克(g)
商品参数
参数完善中