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H20N80R2
H20N80R2
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- 描述
- 内置2颗集成电阻Rg、Rgs，静电防护结构，N沟道，漏源电压：20V，连续漏极电流：0.8A，导通电阻：80mΩ@4.5V，耗散功率：120mW，适用于可穿戴产品。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- H20N80R2
- 商品编号
- C55372647
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |