温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
H20N82R2
H20N82R2
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 内置2颗集成电阻Rg、Rgs，静电防护结构，N沟道，漏源电压：20V，连续漏极电流：1A，导通电阻：82mΩ@4.5V，耗散功率：300mW，适用于便携式设备负载开关、DC/DC转换器、电源模块等。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- H20N82R2
- 商品编号
- C55372648
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC | |
| 输入电容(Ciss) | 58pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 17pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |