- 引脚图
- 焊盘图
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IAUCN08S7N019T
IAUCNO8S7N019T
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUCN08S7N019T
- 商品编号
- C55343104
- 商品封装
- LHDSO-10
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 175A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.78mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.662nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.889nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- MMSZ5255B
- MMSZ5250B
- MMSZ5244B
- BAS521
- LGE 320N10T
- SN74AHCT1G08DCKR-TUDI
- SN74LVC1G07DCKR-TUDI
- SN74LVC1G08DCKR-TUDI
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- SN74AHCT1G08DBVR-TUDI
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