嘉立创上市
购物车0
LGE 320N10T实物图
  • LGE 320N10T商品缩略图
  • LGE 320N10T商品缩略图
  • LGE 320N10T商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LGE 320N10T

LGE 320N10T

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
先进 SGT 工艺,典型 Rds (on) 仅 1.5mΩ,适配电机驱动、储能 BMS、大功率工业电源
品牌名称
LGE(鲁光)
商品型号
LGE 320N10T
商品编号
C55343260
商品封装
TOLL​
包装方式
编带
商品毛重
0.896克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)320A
导通电阻(RDS(on))1.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)250W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)175nC
输入电容(Ciss)10.12nF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.36nF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF