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NCE3401-ES

1个P沟道 耐压:30V 电流:4.5A

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描述
P沟道,-30V,-4.2A,42mΩ@-10V,-0.8V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
商品型号
NCE3401-ES
商品编号
C5224199
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.056克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.5A
导通电阻(RDS(on))49mΩ
耗散功率(Pd)900mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))500mV@250uA
栅极电荷量(Qg)9.4nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)954pF
反向传输电容(Crss)77pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

SI2302是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品SI2302为无铅产品。

商品特性

  • 30V,VGS = -10 V时,RDS(ON) = 42 mΩ(典型值)
  • VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 49 mΩ(典型值)
  • 快速开关
  • 高密度单元设计,实现低RDS(on)
  • 材料:无卤
  • 可靠耐用
  • 雪崩额定
  • 低泄漏电流

应用领域

-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换

数据手册PDF