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MMBFJ309LT1G
MMBFJ309LT1G
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- 描述
- 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频率放大器和振荡器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMBFJ309LT1G
- 商品编号
- C58012
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | - | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - |