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DMC25D1UVT-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:25V 12V 电流:500mA 3.9A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC25D1UVT-7
- 商品编号
- C5205194
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V；12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA；3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 27.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
4N80采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证,可靠性高
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理功能
- 负载开关
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