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IR2104SPBF

停产半桥驱动器

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描述: IR2104(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IR2104SPBF
商品编号: C5204801
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.17克(g)

商品参数

商品概述

IR2104(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，可低至 3.3V 逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，工作电压范围为 10 至 600V。

商品特性

浮动通道专为自举操作设计，可在高达 +600V 电压下完全正常工作，耐受负瞬态电压，抗 dV/dt 干扰
栅极驱动电源范围为 10 至 20V
欠压锁定
与 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑兼容
交叉导通预防逻辑
内部设置死区时间
高端输出与输入同相
关断输入可关闭两个通道
两个通道的传播延迟匹配
也提供无铅版本

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(100个/管，最小起订量 1 个)

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	270mA
	拉电流(IOH)	130mA
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	100ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	50ns
	传播延迟 tpLH	680ns
	传播延迟 tpHL	150ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	3V
	输入低电平(VIL)	800mV
	静态电流(Iq)	150uA