CMN2301M
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 品牌名称Cmos(广东场效应半导体)
商品型号
CMN2301M商品编号
C5203781商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.04克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 3A | |
导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V,1A | |
耗散功率(Pd) | 1W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 520pF@10V | |
反向传输电容(Crss) | 55pF@10V | |
工作温度 | - |
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