我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
S-LP03N060TZHG实物图
  • S-LP03N060TZHG商品缩略图
  • S-LP03N060TZHG商品缩略图
  • S-LP03N060TZHG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S-LP03N060TZHG

1个P沟道 耐压:60V 电流:2.8A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:低导通电阻(RDS(on))沟槽技术。 低热阻。 快速开关速度。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件。应用:电源路由。 DC/DC转换
商品型号
S-LP03N060TZHG
商品编号
C5200150
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.19克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)2.8A
导通电阻(RDS(on))170mΩ@10V;200mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.7W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)3.6nC@4.5V
输入电容(Ciss)366pF
反向传输电容(Crss)17pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)24pF

商品特性

  • 低导通电阻(RDS(on))沟槽技术。
  • 低热阻。
  • 快速开关速度。
  • 我们声明该产品的材料无卤素,且符合RoHS要求。

应用领域

  • 功率路由-直流-直流转换-电机驱动

数据手册PDF