S-LP03N060TZHG
1个P沟道 耐压:60V 电流:2.8A
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- 描述
- 特性:低导通电阻(RDS(on))沟槽技术。 低热阻。 快速开关速度。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件。应用:电源路由。 DC/DC转换
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- S-LP03N060TZHG
- 商品编号
- C5200150
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V;200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 366pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 24pF |
商品特性
- 低导通电阻(RDS(on))沟槽技术。
- 低热阻。
- 快速开关速度。
- 我们声明该产品的材料无卤素,且符合RoHS要求。
应用领域
- 功率路由-直流-直流转换-电机驱动
