温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LNTK3043NT5G
1个N沟道 耐压:20V 电流:285mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：能够实现高密度PCB制造。 比SC-89封装尺寸小44%，厚度薄38%。 低电压驱动，适用于便携式设备。 低阈值电平，VGS(TH) < 1.3V。 低外形（< 0.5mm），便于安装在超薄环境中，如便携式电子产品。 可在标准逻辑电平栅极驱动下工作，便于使用相同基本拓扑向更低电平迁移。 这些是无铅器件。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LNTK3043NT5G
- 商品编号
- C5201700
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 285mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8Ω@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 440mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 输入电容(Ciss) | 55pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
50P06是一款P沟道功率MOSFET。它采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于高电流负载应用。
商品特性
- 支持高密度PCB制造
- 与SC-89相比,占位面积缩小44%,厚度降低38%
- 低电压驱动,使该器件适用于便携式设备
- 低阈值电平,VGS(TH) < 1.3 V
- 薄型封装(< 0.5 mm),可轻松适应便携式电子设备等超薄环境
- 采用标准逻辑电平栅极驱动,便于使用相同基本拓扑结构向更低电平迁移
- 这些器件为无铅器件
- 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤素。
- 汽车及其他需要独特场地和管控变更要求的应用采用S-前缀;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。
应用领域
- DC-DC转换器
- 负载开关
相似推荐
其他推荐