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DMC3401LDW-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:800mA
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC3401LDW-7
- 商品编号
- C5199763
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA；550mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V；900mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA；2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@10V；800pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 19pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
MDmesh™ 是一种全新的革命性功率 MOSFET 技术，它将多漏极工艺与该公司的 PowerMESH™ 水平布局相结合。由此生产的产品具有极低的导通电阻、极高的 dv/dt 和出色的雪崩特性。采用该公司专有的条形技术，使产品的整体动态性能明显优于同类竞品。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 高 dv/dt 和雪崩能力
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用
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