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MASTERGAN1TR

60V半桥驱动器与增强型GaN HEMT

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描述: 具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: MASTERGAN1TR
商品编号: C5198250
商品封装: QFN-31(9x9)
包装方式: 编带
商品毛重: 13.37克(g)

商品参数

商品概述

一款先进的功率系统级封装产品，采用半桥配置集成了一个栅极驱动器和两个增强型氮化镓（GaN）晶体管。集成的功率GaN晶体管的导通电阻RDS(ON)为150 mΩ，漏源击穿电压为650 V，嵌入式栅极驱动器的高端可通过集成的自举二极管轻松供电。它在上下驱动部分均具备欠压锁定（UVLO）保护功能，可防止功率开关在低效率或危险条件下工作，互锁功能可避免出现直通现象。输入引脚的扩展范围便于与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器连接。该器件的工作温度范围为工业级的 -40℃至125℃。该器件采用紧凑的9x9 mm QFN封装。

商品特性

集成半桥栅极驱动器和高压功率GaN晶体管的600 V系统级封装
QFN 9×9×1 mm封装（RDS(ON)=150 mΩ，IDS(MAX)=10 A）
反向电流能力
零反向恢复损耗
高低端欠压锁定（UVLO）保护
内部自举二极管
互锁功能
用于关断功能的专用引脚
精确的内部时序匹配
具有迟滞和下拉功能、兼容3.3 V至15 V的输入
过温保护
减少物料清单
非常紧凑且简化的布局
灵活、简便且快速的设计

应用领域

开关模式电源
充电器和适配器
高压功率因数校正（PFC）、DC-DC和DC-AC转换器
不间断电源（UPS）系统
太阳能发电

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	-
	驱动通道数	2
	工作电压	4.75V~9.5V
	下降时间(tf)	70ns

	属性	参数值
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OPT)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2V
	输入低电平(VIL)	1.45V
	静态电流(Iq)	900uA