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APS12808L-3OBM-BA
APS12808L-3OBM-BA
- 品牌名称
- Apmemory
- 商品型号
- APS12808L-3OBM-BA
- 商品编号
- C5197285
- 商品封装
- BGA-24L
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.2816克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | PSRAM(伪静态) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 软件复位功能；内置温度传感器；部分阵列刷新；内置自动刷新逻辑；硬件复位功能；自动掉电功能；温度补偿刷新；内置电压传感器 |
商品概述
双数据速率OPI Xcelsa PSRAM具有单电源电压，VDD和VDDQ为2.7至3.6V。接口为具有DDR Xccela模式的八进制SPI，每个时钟周期传输两个字节。时钟速率高达133MHz，读写吞吐量为266MB/s。组织形式为128Mb，16M x 8位，页大小为1024字节。有自管理刷新功能。工作温度范围标准为-40°C至+85°C，扩展为-40°C至+105°C。最大待机电流在不同温度下有不同值。该器件采用miniBGA 24L封装，尺寸为6×8×1.2mm，球间距1.0mm，球尺寸0.4mm。上电初始化有两种方法，需同时施加VDD和VDDQ，达到稳定水平后完成自初始化过程。
商品特性
- 低功耗特性，包括部分阵列自刷新（PASR）、通过内置温度传感器实现自动温度补偿自刷新（ATCSR）、用户可配置刷新速率
- 软件复位
- 有复位引脚
- 输出驱动器为LVCMOS，驱动强度可编程
- 写数据有数据掩码（DM）
- 数据选通（DQS）启用高速读操作
- 寄存器可配置写和读初始延迟
- 写突发长度最大1024字节，最小2字节
- 有16/32/64/1K长度的环绕和混合突发
- 线性突发命令
- 行边界交叉（RBX），读操作可通过模式寄存器启用，不支持RBX写，不支持2个管芯之间的RA[13]边界交叉