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NCE55P30F
1个P沟道 耐压:55V 电流:30A
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE55P30F
- 商品编号
- C5197059
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 153pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，按照超结（SJ）原理设计。深沟槽超结MOSFET是一款具有超低开关、通信和传导损耗的器件，其极高的稳健性使谐振开关应用尤其可靠、高效、轻便且散热良好。
商品特性
- 极低的品质因数（导通状态下漏源电阻×栅极电荷）
- 经过100%雪崩测试
- 易于使用/驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)-低功率充电器和适配器
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