商品参数
参数完善中
商品概述
这款125 W射频功率氮化镓（GaN）晶体管能够在30至2200 MHz的宽带范围内工作，并具备输入匹配功能，可提升带宽性能。该器件具有高增益和高鲁棒性，非常适合连续波（CW）、脉冲和宽带射频应用。
商品特性
- 采用先进的碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）技术，提供高功率密度
- 具备十倍频程带宽性能
- 输入匹配，可提升宽带性能
- 高鲁棒性：电压驻波比（VSWR）> 10:1
应用领域
- 窄带和多倍频程宽带放大器
- 雷达
- 干扰器
- 电磁兼容性（EMC）测试
- 公共移动无线电，包括应急服务无线电
- 工业、科学和医疗领域
- 宽带实验室放大器
- 无线蜂窝基础设施
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- 75586-0007
- URB2405JMT-10W
- 744224
- TT1-6-KK81+
- HoFL3-8420-D-0.1mR-1%
- HoFL3-8420-B-0.05mR-1%
- HoFL3-8420-A-0.2mR-1%
- HoFL3-8420-0.2mR-5%一t2.1
- HoFL3-8420-0.2mR-5%-t2.5
- HoFL3-6918-B-0.05mR-1%一H6
- HoFL3-6918-A-0.1mR-0.5%
- HoFL3-6918-A-0.1mR-1%
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- NCE55P30F
- HDGC1002WRF-S-2P
- HDGC1002WRF-S-3P
- HDGC1002WRF-S-4P