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SI2305
SI2305
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- 描述
- TDD(台冠电子/台源电子）MOS配置 独立式；沟道类型 P 沟道；漏源击穿电压（Vds)-20V；连续漏极电流（Id)-3A；栅极开启电压 (Vgs (th))-1~-2.8V；导通内阻 (Rds (on))≤70mΩ@Vgs=-4.5V；耗散功率 (Pd) 1.25W；工作结温范围 - 55℃~+150℃
- 品牌名称
- TDD(台冠电子)
- 商品型号
- SI2305
- 商品编号
- C55099185
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030967克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |