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BSS84
BSS84
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- 描述
- TDD(台冠电子/台源电子）MOS配置 独立式；沟道类型 P 沟道；漏源击穿电压（Vds)-60V；连续漏极电流（Id)-230mA；栅极开启电压 (Vgs (th))-1.5V；导通内阻 (Rds (on)) 2.8Ω@Vgs=-10V；耗散功率 (Pd) 350mW；工作结温范围 - 55℃~+150℃
- 品牌名称
- TDD(台冠电子)
- 商品型号
- BSS84
- 商品编号
- C55099187
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |