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MMBT3906T
MMBT3906T
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- 描述
- TDD(台冠电子/台源电子）三极管配置 独立式；晶体管类型PNP；1个PNP；直流电流增益(hFE)100~300；集电极截止电流(Icbo)100nA ；集射极饱和电压(VCE(sat))400mV；集射极击穿电压(Vceo)40V；射基极击穿电压(VEBO)5V；特征频率(fT)250MHz； 集电极电流(IC)200mA；耗散功率(pd)150mW；工作结温范围-55℃~+150℃
- 品牌名称
- TDD(台冠电子)
- 商品型号
- MMBT3906T
- 商品编号
- C55099121
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 300 | |
| 特征频率(fT) | 250MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV；250mV | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP | |
| 配置 | - |