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FL8205
2个N沟道 耐压:20V
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- 描述
- FL8205采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- FL8205
- 商品编号
- C5190143
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@8V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品概述
HD80N06将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，提供极低的漏源导通电阻。这些器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 漏源电压 = 60V；漏极电流 = 80A
- 栅源电压为10V时，漏源导通电阻 < 11 mΩ
- 超低导通电阻
- 高单脉冲雪崩耐量（UIS）且UIS 100%测试
应用领域
-电源开关应用-负载开关