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BSZ040N04LS G-VB
N沟道；电压：40V；电流：40A；导通电阻：4.5(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)；N—Channel沟道；40V；40A；RDS(ON)=4.5(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=2.5V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSZ040N04LS G-VB
- 商品编号
- C55056339
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0325克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- NVTFS5C658NLWFTAG-VB
- GS-065-014-6-L-TR-VB
- 100ml-75%
- 0-1500mm 0.02mm
- W-36W
- TYPE-C-E01A-2TDWH088
- TYPE-C-G19-1BDWC064
- TYPE-C-G18-3TDWL177
- TYPE-C-G20-1TDL820
- TYPE-C-G20A-1TDL820
- TYPE-C-C31-2TDY5H060
- TYPE-C-C31S-2TDY5H060
- TYPE-C-C32-1CBL822
- TYPE-C-C33-1BBC160
- TYPE-C-I01-1BBY5C080
- TYPE-C-C04DT-1TDL835
- FPC02-YF0.5-4PCRH20
- FPC02-YF0.5-6PCRH20
- FPC02-YF0.5-8PCRH20
- FPC02-YF0.5-10PCRH20
- FPC02-YF0.5-12PCRH20