GS-065-014-6-L-TR-VB

漏极源极电压VDS(V),max：650V；电流：20A；导通电阻：110(mΩ)

描述

台积电流片，长电科技封装；GaN；DFN8(5X6)；N—Channel沟道；650V；20A；RDS(ON)=110(mΩ)@VGS=6Vtyp(mΩ)；VGS=-1.5~7；Vthtyp(V)=1.5V；采用E-MODE技术

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

GS-065-014-6-L-TR-VB

商品编号

C55056935

商品封装

DFN-8(5X6)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)