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HP50N10S
HP50N10S
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- 品牌名称
- HL(豪林)
- 商品型号
- HP50N10S
- 商品编号
- C5187801
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.435nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 248pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
HP50N10S是一款专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。其坚固的EAS能力和极低的RDS(ON)适用于PWM、负载开关应用。
商品特性
- VDS = 100 V; ID = 50 A(VGS = 10 V 时)
- RDS(ON)< 13 m Ω(VGS=10 V 时)
- RDS(ON)< 16 m Ω(VGS=4.5 V 时)
- 极低导通电阻
- 高UIS且UIS 100% 测试
应用领域
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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