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HP50N10S
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.435nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 248pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款采用沟槽 DMOS 技术的封装器件集成了两个 -30V P 沟道增强型功率场效应晶体管。该先进技术经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效率快速开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V
- 栅源电压（VGS） = -10V 时，漏极电流（ID） = -9A
- VGS = -10V 时，导通状态下的漏源电阻（Rds(on)） = 14mΩ（典型值）
- VGS = -4.5V 时，导通状态下的漏源电阻（Rds(on)） = 19mΩ（典型值）
- 开关速度快
- 高功率和电流处理能力
- 封装形式：SOP-8L
- 提供无铅环保器件
应用领域
- 负载点（POL）应用
- 负载开关
- LED 应用
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