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NSMD10S60C1

600V /10A 三相全桥碳化硅IPM

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描述
NSMD10B60C1为碳化硅材质三相全桥IPM,600V/10A规格,内置6个SiC MOS管,Typ.Rds,on仅0.417Ω@25℃,低导通损耗,集成高压栅驱+多重保护,适配家电各类风机、压缩机驱动。
商品型号
NSMD10S60C1
商品编号
C55014362
商品封装
SOP-23​
包装方式
编带
商品毛重
3.486克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录智能功率模块(IPM)
类型MOSFET
配置全桥
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)10A
工作电压12V~18.5V
高侧偏置电压(Vbs)12V~18.5V
开关频率15kHz
属性参数值
隔离电压(Vrms)1500Vrms
耗散功率(Pd)14.5W
静态电流(Iq)80uA
工作温度-40℃~+150℃
长度29mm
宽度12mm
功能特性欠压锁定带迟滞

数据手册PDF