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BSS123
1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
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- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用小巧SOT-23封装，适用于100V高压系统，额定电流为0.2A，特别适合于低功耗电子设备的电源开关和信号控制。具备卓越的低导通电阻与快速切换性能，有效提升能效并确保在各类应用中的稳定运行。
- 商品型号
- BSS123
- 商品编号
- C5184436
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V,0.17A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 30V/8A
- 栅源电压（VGS）为 10V 时，导通电阻（RDS(ON)）最大为 17 mΩ
- 栅源电压（VGS）为 4.5V 时，导通电阻（RDS(ON)）最大为 24 mΩ
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合 RoHS 标准）
- 经过 100% 非钳位电感开关（UIS）测试
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。