2N7002K
1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
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- 描述
- 特性:环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 高密度单元设计,实现低RDS(ON)。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 ESD防护高达2KV(HBM)
- 品牌名称
- JKSEMI(金开盛)
- 商品型号
- 2N7002K
- 商品编号
- C5183893
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
AO3416AI-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 采用高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
- 具备高达2KV(HBM)的静电放电保护
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
