- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
EPC8009
增强型功率晶体管，采用横向器件结构和多数载流子二极管，具有低导通电阻、极低栅极电荷和零反向恢复电荷，适用于高频开关和低导通损耗应用。
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- 品牌名称
- EPC
- 商品型号
- EPC8009
- 商品编号
- C5183899
- 商品封装
- SMD,2.1x0.85mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 370pC | |
| 输入电容(Ciss) | 45pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ |