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SE40160G
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 高密单元设计，实现超低导通电阻；具备完全表征的雪崩电压和电流；改善直通品质因数；驱动要求简单；封装外形小；为表面贴装器件。
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE40160G
- 商品编号
- C5182598
- 商品封装
- DFN(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.032nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 743pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |