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SE40200G
N沟道增强型MOSFET
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- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE40200G
- 商品编号
- C5182599
- 商品封装
- DFN(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.7nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 530pF@25V | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 1.42nF |
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