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TNM0430N3X
TNM0430N3X
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- 描述
- TNM0430N3X是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，适用于大多数同步降压转换器应用，提供优异的RDSON和栅极电荷性能。 TNM0430N3X符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，并通过全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- 晶扬电子
- 商品型号
- TNM0430N3X
- 商品编号
- C54876333
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10396克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |