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HC260N070S1E实物图
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HC260N070S1E

SiC MOS,700V,260mR,DFN8*8

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描述
SiC MOS,700V,260mR,DFN8*8
商品型号
HC260N070S1E
商品编号
C54864523
商品封装
DFN-5(8x8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.289克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)12A
阈值电压(Vgs(th))2.7V
栅极电荷量(Qg)17.6nC
属性参数值
输入电容(Ciss)361pF
反向传输电容(Crss)3.5pF
输出电容(Coss)34pF
导通电阻(RDS(on))320mΩ

数据手册PDF