温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HC016N065R4R
SiC MOS，650V，16mR，TO247-4L(HC)
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- SiC MOS，650V，16mR，TO247-4L(HC)
- 品牌名称
- HIMINGWAY(海明微)
- 商品型号
- HC016N065R4R
- 商品编号
- C54864543
- 商品封装
- TO247-4L(HC)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.644克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 154A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 191nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.797nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 输出电容(Coss) | 400pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ |