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HC060N065H6P
SiC MOS，650V，60mR，263顶部散热
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- 描述
- SiC MOS，650V，60mR，263顶部散热
- 品牌名称
- HIMINGWAY(海明微)
- 商品型号
- HC060N065H6P
- 商品编号
- C54864508
- 商品封装
- TSC263-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.628克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 966pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 输出电容(Coss) | 69pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ |