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US6M11TR
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:1.5A
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- 描述
- 特性：Nch MOSFET和Pch MOSFET采用TUMT6封装。 低导通电阻。 低电压驱动（1.5V驱动）。 内置G-S保护二极管。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- US6M11TR
- 商品编号
- C559366
- 商品封装
- TUMT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@0.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- N沟道MOSFET和P沟道MOSFET采用TUMT6封装。
- 低导通电阻。
- 低电压驱动（1.5V驱动）。
- 内置G-S保护二极管。
应用领域
- 开关