商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 驱动电路可简化
- 易于并联使用
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关应用
