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STGP19NC60KD-MNS
IGBT 650V 20A
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- 描述
- 采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术)，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=20A，具有导通压降低和关断损耗小等优点，适用于光伏逆变，储能，UPS，电焊等应用场景
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- STGP19NC60KD-MNS
- 商品编号
- C54839584
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 80A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 25uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.55V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 892pF | |
| 输出电容(Coes) | 43pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 10pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 136ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 66ns | |
| 工作温度 | - |