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PJMD60H12TNSA
PJMD60H12TNSA
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- 描述
- N沟道耗尽型MOSFET，VDS=600V,ID=0.03A、RDS(on)≤120Ω@VGS=10V,PD=0.5W 内置栅源齐纳二极管，工作结温-55~+150℃，适用于小电流高压耗尽型应用场景
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJMD60H12TNSA
- 商品编号
- C54829854
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160Ω | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 24pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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