XJNG2303Q

XJNG2303Q 250V 1.5A 三相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

描述

XJNG2303Q 为高压高速 MOSFET 高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺单芯片集成高低侧栅极驱动，具备独立高低侧输出通道。芯片逻辑输入兼容 3.3V CMOS/LSTTL 电平，输出大电流驱动，内置死区控制防止直通。高压侧浮动通道可驱动 N 沟道 MOS 管，耐压最高 250V。产品采用 QFN24 封装，工作温度范围 - 40℃~125℃。

品牌名称

WXNSIC(国硅集成)

商品型号

XJNG2303Q

商品编号

C54830258

商品封装

QFN-24(4x4)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)