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LN4812LT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- 特性：VDS = 30V。 RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@5A = 52mΩ。 RDS(ON), VGS@10V, IDS@6A = 38mΩ。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LN4812LT1G
- 商品编号
- C559076
- 商品封装
- SOT-23E
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V
- 栅源电压（VGS）为4.5V、漏源电流（IDS）为5A时的导通电阻[RDS(ON)] = 52mΩ
- 栅源电压（VGS）为10V、漏源电流（IDS）为6A时的导通电阻[RDS(ON)] = 38mΩ
- 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤。
- S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和制程变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。
应用领域
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 先进的沟槽工艺技术
- 高功率和高电流处理能力
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