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LDN3408ET1G
2个N沟道 耐压:30V 电流:2A
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- 描述
- 特性：ESD保护：2KV HBM。 RDS(ON)<75mΩ@VGS = 10V, ID = 3A。 RDS(ON)<90mΩ@VGS = 4.5V, ID = 2A。 RDS(ON)<150mΩ@VGS = 2.5V, ID = 1A。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LDN3408ET1G
- 商品编号
- C559069
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V；110mΩ@2.5V；70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 247pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 33pF |
商品特性
- 静电放电（ESD）防护2KV人体模型（HBM）
- 在VGS = 10V、ID = 3A条件下，RDS(ON) < 75mΩ
- 在VGS = 4.5V、ID = 2A条件下，RDS(ON) < 90mΩ
- 在VGS = 2.5V、ID = 1A条件下，RDS(ON) < 150mΩ
- 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤。
- 以“S-”为前缀的产品适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。