- 引脚图
- 焊盘图
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IKW75N1200DH(KTP)
IKW75N1200DH(KTP)
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- 描述
- IGBT单管N沟道，VCE=1200V,IC=75A,广泛应用于电源、电机驱动、光伏逆变等。
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- IKW75N1200DH(KTP)
- 商品编号
- C54814926
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 520W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 300A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 20uA；5mA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.85V；2.25V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 505nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 11nF | |
| 输出电容(Coes) | 235pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 52pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 50ns；52ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 520ns；452ns | |
| 导通损耗(Eon) | 5.2mJ；8mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.8mJ；3.9mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 120ns；230ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |