- 引脚图
- 焊盘图
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IKG50N1200DH(KTP)
IKG50N1200DH(KTP)
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- 描述
- IGBT单管N沟道，VCE=1200V,IC=50A,广泛应用于电源、电机驱动、光伏逆变等。
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- IKG50N1200DH(KTP)
- 商品编号
- C54814929
- 商品封装
- TO-264
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 492W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 20uA；5mA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.8V；2.2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 260nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.5nF | |
| 输出电容(Coes) | 230pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 56pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 35ns；30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 235ns；270ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.9mJ；2.2mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.8mJ；2.8mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 320ns；252ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |